Каминский В.В.

 Использование: технология производства компонентов электронной техники, в частности технология производства полупроводниковых тензорезисторов, а также при изготовлении датчиков механических величин. Сущность: немеханическим путем удаляют краевые участки тензочувствительного слоя моносульфида самария, в частности путем обработки в травителе следующего состава: 1 об. ч. концентрированной со...

 Назначение: технология изготовления полупроводниковых термо- и тензорезисторов. Сущность изобретения: контактные площадки резисторов подвергают обработке давлением индентора. Одновременно измеряют изменение электросопротивления резистора. Воздействие прекращают, когда изменение электросопротивления уменьшится до 0,01 Ом. 2 з.п. ф-лы, 2 ил. Изобретение относится к технологии элементной баз...