Обмайкин Ю.Д.

  Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к мощным высоковольтным транзисторам. Сущность изобретения: транзистор содержит в подложке-коллекторе вспомогательную защитную транзисторную структуру с базовой и эмиттерными областями того же типа проводимости, что и основного транзистора, причем эмиттерная область защитного транзистора омически соединена электродом с базов...

 Использование: в микроэлектронике, в конструкции биполярных транзисторов. Сущность изобретения: мощный биполярный транзистор содержит коллекторную область, базовую область, эммитерную область гребенчатой конфигурации, окруженную по всему периметру полосковой областью постоянной ширины того же типа проводимости, что и эмиттерная область, причем расстояние между эмиттерной областью и полоск...

 Использование: микроэлектроника, биполярные транзисторы с увеличенной областью безопасной работы. Сущность изобретения: транзистор содержит коллекторную область, имеющую первый тип проводимости, базовую область второго типа проводимости, эмиттерную область гребенчатой конфигурации первого типа проводимости. В области базы выполнена полосковая область одинаковой ширины такого же типа прово...

 Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, в частности к мощным высоковольтным транзисторам. Интегральный транзистор с защитой от перенапряжений содержит коллекторную область первого типа проводимости, базовую область второго типа проводимости, эмиттерную область первого типа проводимости, полевой транзистор. Сток полевого транзистора соединен с базовой областью, а исток...