Вовк О.В.

 Использование: в технологии изготовления полупроводниковых приборов с р-п переходом и может использоваться для создания лавинных фотодиодов (ЛФД) из различных полупроводниковых материалов и полупроводниковых соединений. Технический результат изобретения - совершенствование кристаллической структуры ЛФД по всей его площади, снижение микроплазменного шума и повышение чувствительности за сче...

 Способ относится к методам испытаний полупроводниковых приборов на надежность и может использоваться для ускоренных испытаний полупроводниковых фотоприемников для прогнозирования их надежности в процессе длительной эксплуатации. Основой способа является облучение фотоприемников перед температурным воздействием гамма-нейтронным импульсом с интегральным потоком, лежащим в пределах 5109 - 51...

 Изобретение относится к области радиационных испытаний полупроводниковых приборов. Способ заключается в облучении фотоприемников импульсным гамма-нейтронным реакторным излучением и измерении фотоэлектрических параметров до и после облучения, по изменению которых определяется радиационная стойкость фотоприемников. Стойкость к протонному и электронному излучениям определяется по результатам...

 Предлагаемый способ относится к способам испытаний полупроводниковых приборов на стойкость к воздействию нейтронного излучения с энергией 14 МэВ. Технический результат изобретения заключается в осуществлении моделирования воздействия нейтронов с энергией 14 МэВ реакторными нейтронами на фотоприемники с наибольшей достоверностью, сокращении стоимости испытаний. Сущность: для определения ст...

 Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения заключается в создании кремниевого фотодиода, устойчивого к сильным радиационным воздействиям. Сущность: в качестве исходного материала используются кремниевые эпитаксиальные структуры типа 9-20 КЭФ(КЭС) 20-100, а в качестве параметров - критериев годности фотодиодов - выбирают зн...

 Изобретение относится к способам испытаний полупроводниковых приборов, в частности фотодиодов, применяемых в системах управления и ориентации, на стойкость к воздействию дестабилизирующих факторов внешней среды. Способ испытаний включает облучение приборов, измерение параметров приборов до и после воздействия. Для обеспечения достоверности испытаний за счет приближения условий моделирован...

 Предлагаемый способ относится к способам испытаний полупроводниковых приборов на стойкость к воздействию внешних дестабилизирующих факторов. В предлагаемом способе устойчивость к воздействию внешних дестабилизирующих факторов определяется по результатам следующих воздействий: гамма-нейтронное импульсное излучение со средней энергией нейтронов 1,0-3,0 МэВ заданного уровня, гамма-нейтронное...