Мельникова Т.М.

 Использование: в технологии изготовления полупроводниковых приборов с р-п переходом и может использоваться для создания лавинных фотодиодов (ЛФД) из различных полупроводниковых материалов и полупроводниковых соединений. Технический результат изобретения - совершенствование кристаллической структуры ЛФД по всей его площади, снижение микроплазменного шума и повышение чувствительности за сче...