Депьюдт Джеймс М. (US)

 Использование: в области технической физики. Сущность: лазерный диод содержит множество слоев полупроводника II-VI групп, образующих p-n-переход, при этом, например, на полупроводниковой подложке n-типа проводимости последовательно выполнены слои: буфферный слой n-типа, нижний контактный слой n-типа, слой нижней оболочки n-типа, первый световодный слой n-типа, активный слой с квантовой ям...

 Изобретение относится к области технической физики. Сущность: способ изготовления омического контактного слоя на слое p-типа на полупроводнике (пп) II-VI групп в камере молекулярно-лучевой эпитаксии, в качестве источника элемента VI группы выбирают: источник элемента Хm, где m<6; источник элемента Sem, где m<6; термически расщепленный Se. Легирующую примесь p-типа вводят в виде своб...