Душенков Сергей Дмитриевич

  Использование: при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности интегральных схем. Сущность изобретения: на обрабатываемую подложку воздействуют излучением в диапазоне длин волн 115 - 118 нм, а в качестве рабочего газа используют SF6 или его смеси с O2 и/или с H2, что позволяет достигать высоких скоростей фотостимулированного травления двуокиси кремния при использовании неагресси...

  Сущность: корпус источника излучения выполнен с несколькими окнами прямоугольной щелевой формы, выполненными каждое в виде одной или нескольких пластин, прозрачных в спектральном диапазоне источника излучения. Расстояние между окнами и поверхностью образца выбрано не меньшим, чем расстояние между соседними окнами, расположенными в одной плоскости. 1 з.п. ф-лы, 6 ил. Основным элементом пр...