Медведев Н.М.

 Использование: изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ включает формирование активных элементов структур с первым уровнем металлизации, нанесение межуровневого диэлектрика, травление контактных окон, формирование второго уровня металлизации, при этом на первый уровень наносят слой двуокиси кремния при низкой температуре и пониженном давлении. Затем наносят ф...