Шер Т.Б.

 (19)SU(11)1108966(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/76(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых интегральных схем, в частности транзисторных стру...

 (19)SU(11)1222149(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/74(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЕВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ Изобретение относится к производству полупроводниковых микросхем, в частности к изготовлению структ...

 Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении кремниевых структур с диэлектрической изоляцией компонентов интегральных схем. Цель изобретения - уменьшение трудоемкости изготовления структур путем формирования участков монокремния различной толщины однократным травлением и повышение выхода годных структур путем устранения операции фотолитогр...

 Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС. Цель изобретения - повышение выхода годных микросхем за счет повышения воспроизводимости параметров распределения примеси в p - n - p транзисторных структурах. Для этого при изготовлении микросхем в полупроводниковой кремниевой подложке n-типа проводимости формируют диф...

  Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Цель - повышение плотности упаковки элементов и упрощение способа за счет уменьшения глубины изолирующих канавок, а также улучшение электрических характеристик микросхем за счет полной диэлектрической изоляции высоковольтных транзисторов. Для этого при изго...

 Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых интегральных схем, в частности к изготовлению быстродействующих интегральных схем на кремниевых структурах с диэлектрической изоляцией (КСДИ). Целью является повышение выхода годных структур по напряжению пробоя за счет исключения попадания фосфора в области скрытых слоев. Способ включает вакуумную диффузию мышьяка в кремни...

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления высоковольтных интегральных схем с диэлектрической изоляцией. Для увеличения выхода годных за счет уменьшения глубины разделительных канавок выполняется следующая последовательность технологических операций: максированные нитридом кремния на поверхности кремниевой монокристаллической пластины n-типа областей, соответствующих располо...

 Использование: изобретение может быть использовано при производстве кремниевых высоковольтных приборов и микросхем. Сущность: формируют активные и пассивные элементы структуры, проводят высокотемпературную обработку при температуре 1000 - 1250°С, затем проводят низкотемпературную обработку в два этапа: температуру первого этапа задают равной 800 - 950°С и проводят обработку в течение врем...