Горшкова О.В.

 Применение: изобретение относится к способам контроля парметров полупроводниковых материалов, используемых преимущественно в электронной промышленности при контроле качества полупроводниковых материалов и полупроводниковых приборов в условиях низких температур. Сущность изобретения: определяют зависимость тока прыжковой проводимости от температуры образца. Облучают образец ионизирующим из...