Шамхалов К.С.

 Применение: изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении ИС на арсениде галлия. Сущность: структура включает субмикронный буферный слой, расположенный между подложкой и субмикронным слоем арсенида галлия n - типа проводимости. Буферный слой выполнен в виде последовательности чередующихся слоев арсенида галлия одного типа проводимости и -легированного...