Сидорова Г.Ю.

  Использование: микроэлектроника, технология изготовления одно- и многоэлементных приборов на основе узкозонных полупроводников с высокими электрофизическими параметрами. Сущность изобретения: при изготовлении планарных p-n-переходов на антимониде индия проводят подготовку поверхности исходной пластины антимонида индия, наносят маскирующую пленку кремния синтезом из газовой фазы, вскрываю...

  Использование: в способах, предназначенных для изготовления диодов, транзисторов, в том числе фотодиодов и фототранзисторов, а также приборов на кристаллах арсенида индия. Сущность изобретения: способ изготовления планарных p+- n -переходов на кристаллах inAs n-типа проводимости основан на методе ионной имплантации с последующим отжигом. В качестве исходных кристаллов используют эпитакси...