Середин Л.М.
Изобретатель Середин Л.М. является автором следующих патентов:
Способ получения мультикристаллов кремния
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может найти применение в промышленности при изготовлении ряда дискретных полупроводниковых приборов (например, тензодатчиков, полевых транзисторов, переключателей, датчиков малых перемещений и других приборов). Предложенный способ включает создание композиции из пластины-подложки и пластины-источника, ориентированных в направлении 10...
2026895