Толубаев К.Г.

 Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии изготовления интегральных биполярных схем с диодами Шоттки. Цель - повышение надежности интегральных схем и улучшение воспроизводимости параметров диодов Шоттки. Для этого после создания в подложке активных и пассивных элементов ИС, маскированных диэлектрической пленкой, в ней вскрывают окна к невыпрямляющим контактам и вы...

 Изобретение относится к полупроводниковому производству и может быть использовано в технологии изготовления БИС и СБИС с двумя и более уровнями межсоединений, увеличенной плотностью упаковки и малым шагом межсоединений. Целью изобретения является повышение качества и надежности многоуровневых межсоединений за счет повышения степени планаризации, снижение разнотолщинности диэлектрического...

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления интегральных схем. Сущность изобретения: способ создания биполярных интегральных структур включает формирование скрытых слоев в кремниевой подложке, нанесение эпитаксиального слоя, формирование в нем областей эмиттера, базы и коллектора, вскрытие контактных окон в диэлектрическом покрытии, нанесение слоя металла и его фотолитографич...

  Изобретение относится к полупроводниковому производству и можеть быть использовано в технологии изготовления БИС и СБИС с двумя и более уровнями межсоединений. Сущность изобретения: в способе создания многоуровневых межсоединений интегральных микросхем нижний диэлектрический слой наносят толщиной, составляющей 1,3 1,4 толщины нижнего уровня межсоединений. После вскрытия окон в органическ...