Ермакова О.Н.

  Изобретение относится к контролю электрофизических параметров и может быть использовано для исследования и контроля параметров полупроводниковых материалов и гетероструктур и позволяет расширить класс исследуемых структур за счет МДМ и p+-i-n+-структур, емкость которых не зависит от напряжения смещения и от зарядового состояния ловушек, а также повысить чувствительность измерений и упрос...