Шелопут Д.В.

 1. Кристаллизатор для выращивания кристаллов из водных растворов, включающий центральный сосуд роста кристаллов и боковые сосуды растворения, соединенные с центральным сосудом посредством трубок, нагреватель и охладитель, отличающийся тем, что, с целью выращивания кристаллов йодата лития гексагональной модификации методом температурного и концентрационного перепада, соединительные трубки...

 Стекло для светозвукопроводов, включающее Sb, O, J, отличающееся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента показателя преломления и температурного коэффициента скорости ультразвука, оно дополнительно содержит AS при следующем соотношении компонентов, ат.%: Sb - 33-40 О - 54-60 J - 1-5 AS - 1-2

 Стекло для светозвукопроводов, включающее О, отличающееся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента скорости ультразвука, оно дополнительно содержит при следующем соотношении компонентов, ат.%: О - 65-66 Ge - 18-20 Bi - 15-18

 Стекло для светозвукопроводов, включающее Sb, O, отличающееся тем, что, с целью повышения оптической стойкости в области 480-515 нм, оно дополнительно содержит Cl при следующем соотношении компонентов, ат.%: Sb - 32-40 О - 65-65 Cl - 2-6

 Стекло для акустооптического светозвукопровода, включающее германий, кислород, отличающееся тем, что, с целью увеличения акустооптической добротности и удешевления материала, оно дополнительно содержит свинец при следующем соотношении компонентов, ат.%: Германий - 20-22 Кислород - 60-63 Свинец - 15-20

 Стекло для светозвукопровода, включающий Pb, O, Bi, отличающееся тем, что, с целью повышения коэффициента акустооптической добротности и показателя преломления, оно дополнительно содержит Ge при следующем соотношении компонентов, ат.%: Pb - 6-19 О - 56-62 Bi - 8-16 Ge - 16-20

 Способ получения слоев для пьезоэлектрических приборов на основе соединения лития, включающий нанесение слоя на подложку, отличающийся тем, что, с целью получения слоев иодата лития толщиной 1 - 10 мкм, в качестве подложки используют монокристалл йодата лития, ростовую грань которого (100) покрывают слоем золота толщиной 500 - 1200 , и нанесение слоя ведут в насыщенном водном растворе йод...

 Стекло для светозвукопровода, включающее Ge, Pb, O, отличающееся тем, что, с целью снижения коэффициента поглощения ультразвука, оно дополнительно содержит Sb при следующем соотношении компонентов, ат.%: Ge - 2 - 30 Pb - 2 - 40 О - 52 - 66 Sb - 2 - 36

 Способ изготовления монокристаллов твердых растворов иодат лития-иодоватая кислота наращиванием из водного насыщенного раствора, отличающийся тем, что с целью получения эпитаксиальных структур на подложках Li1-xHxIO3 X = 0,04 - 0,08 ориентаций, наращивание ведут из раствора, содержащего 2 - 26 мас.% иодноватой кислоты, при температуре 40 1oС.

 Применение халькогенидного стекла Ge AS2 Te7 в качестве материала для светозвукопроводов акустооптических устройств.

 Стекло для звукопроводов, включающее SiO2, PbO, K2O, отличающееся тем, что, с целью снижения акустических потерь в диапазоне частот до 200 МГц и получения линейной зависимости этих потерь от частоты, оно дополнительно содержит BaO и CdO при следующем соотношении компонентов, мас.%: SiO2 - 35-50 PbO - 15-45 K2O - 3,5-4,5 BaO - 10-25 CdO - 5,5-6,5

 Применение стекла 19SiO2oC4PbOoC4K2OoC3B2O3oC2BaOoCCaO в качестве материала для светозвукопроводов акустооптических модуляторов добротности лазеров.

 Применение стекла Si38Pb20K5O37 в качестве материала для светозвукопровода акустооптических синхронизаторов мод лазеров.

 Применение стекла 11SiO2oC7PbOoC2K2O в качестве материала для светозвукопроводов термостабильных акустооптических дефлекторов.

 Синхронизатор мод, состоящий из светозвукопровода, акустической связки, пьезопреобразователя в виде плоскопараллельной пластины и металлических контактных слоев с подводящими электродами, отличающийся тем, что, с целью уменьшения длительности формируемых импульсов, контактные слои выполнены на внешней и внутренней сторонах пьезопреобразователя в виде соосно расположенных кругов одинаковог...

 Применение стекла 14SiO2oCB2O3oCPbOoCBaOoC3K2O в качестве материала для светозвукопроводов акустооптических модуляторов добротности лазеров.

 Применение стекла 43SiO225BaO4PbO10B2O37ZnO9CaO2Al2O3 в качестве материала для светозвукопровода акустооптических синхронизаторов мод лазеров.

 Способ изготовления пластин, включающий крепление пластин на планшайбе и поочередные шлифование и полирование сторон пластин, отличающийся тем, что, с целью улучшения геометрических параметров пластин, их крепление после полирования одной стороны осуществляют нанесением на полированную сторону прозрачной плоскопараллельной планшайбы слоя прозрачного клеящего вещества и притиранием пластин...

 Стекло для светозвукопроводов, включающее Sb, O, J, отличающееся тем, что, с целью снижения температурного коэффициента скорости звука и повышения акустооптической добротности, оно дополнительно содержит Bi при следующем соотношении ингредиентов, ат.%: Sb - 36 - 39 O - 56 - 59 J - 1 - 7 Bi - 1 - 4

 Применение стекла 67 SiO228 Pb3 K2O2 Na2O в качестве материала для светозвукопровода акустооптических синхронизаторов мод лазеров.

 Применение стеклообразного материала Si3Ge2Al5Te10 в качестве светозвукопроводов акустооптических устройств для инфракрасного диапазона (2 - 12,5 мкм).

 Стекло для светозвукопроводов, включающее Sb, O, J, отличающееся тем, что, с целью увеличения акустооптической добротности, оно дополнительно содержит Hg при следующем соотношении ингредиентов, ат.%: Sb - 36 - 40 O - 55 - 59 J - 1 - 8 Hg - 1 - 7

 Стекло для светозвукопроводов, включающее TeO2, WO3, K2O, отличающееся тем, что, с целью повышения акустооптической добротности и снижения акустических потерь, оно содержит указанные компоненты в следующих количествах, мол.%: TeO2 - 50 - 70 WO3 - 10 - 30 K2O - 10 - 30

 Применение стекла Ge11Sb11SniSe65 в качестве материала для светозвукопроводов внутрирезонаторных акустооптических устройств управления излучения SO2 - лазеров.

 Применение стекла As30Sb1S12Se51 в качестве материала для светозвукопроводов акустооптических устройств управления световым излучением ближнего ИК-диапазона.