Болотин В.П.

  Использование: способ может быть использован в технологии получения полупроводниковых приборов на основе соединений AIIBVI и AIIIBV и при изготовлении кремниевых ИС. Сущность изобретения: способ включает осаждение слоев из гомогенной газовой смеси моносилана, триметилфосфата и аргона или тетраэтоксисилана и кислорода. 2 з.п. ф-лы, 1 ил. Изобретение относится к полупроводниковой технике и...