Нарнов Б.А.

  Использование: в микроэлектронике для производства транзисторов Шоттки на меза-структурах. Сущность изобретения: способ включает изготовление полупроводниковых приборов на полуизолирующей пласлине арсенида галлия с активной структурой путем формирования меза-структуры, формирования маски двуокиси кремния с окном над активной областью прибора, формирования защитной маски анодным окисление...

  Использование: в производстве полупроводниковых приборов, в частности при изготовлении полевых транзисторов Шоттки на меза-стуктурах. Сущность изобретения: способ предусматривает формирование электрохимическим осаждением по одной фоторезистивной маске Au - Ge-контактов на активных областях при интенсивном освещении. В темноте осаждают золото на мезе. Электрохимическое соединение контакто...