Евсеев Ю.А.

 Симистор с однополярным управлением, выполненный на основе многослойной структуры, например, n-р-n-р-n-типа, содержащий контакты основного токосъема на основных поверхностях структуры, под которыми расположены внешние слои n- и р-типа проводимости, и на одной из основных поверхностей расположен управляющий электрод, присоединенный к области р-типа проводимости с дополнительными областями...

 1. ФОТОСИМИСТОР на основе многослойной структуры, например, n-p-n-p-n типа, содержащий зашунтированные внешние n-эмиттерные слои, контакты основного токосъема, дополнительные n-эмиттерные области, частично металлизированные, участок базы, управляемый световым потоком, по крайней мере, с одной стороны структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости прибора к высоким скоростям...

 1. Силовой полупроводниковый прибор с полевым управлением, например тиристор, содержащий не менее двух ячеек, каждая из которых включает базу с участками различного удельного сопротивления, p+ - анод и n+ - катод, окруженный p+ - затвором, отличающийся тем, что, с целью увеличения активной площади прибора с полевым управлением при сохранении высоких значений коэффициента запирания и быстр...

 Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов, более конкретно к симметричным тиристорам. Цель изобретения - обеспечение управления напряжением переключения в любом направлении током одного порядка, а также повышение динамических параметров и рабочей температуры. Сущность изобретения состоит в ограничении участка нижнего n-эмиттерного слоя, расположенного под...

 Фототиристор, содержащий по крайней мере четыре слоя чередующегося типа проводимости с катодным и анодным контактами на главных поверхностях, первый и четвертый слои которого являются эмиттерами, а второй и третий - базами, причем первый эмиттерный слой n-типа проводимости разделен на две области - основной и вспомогательный эмиттеры, а вспомогательный эмиттер содержит область зажигания и...

 Материал термокомпенсатора для полупроводникового выпрямительного элемента, содержащий поликристаллический кремний, отличающийся тем, что, с целью повышения обратного напряжения выпрямительного элемента и улучшения прочностных свойств термокомпенсатора, материал дополнительно содержит вольфрам или молибден при следующем соотношении компонентов, мас.%: Вольфрам или - 0,1 - 6 Молибден - 0,1...

 Сущность изобретения: мост содержит анодную и катодную группы диодных элементов. Диодные элементы по периферии окружены сквозным дырочным слоем. По периферии элемента на верхней плоскости выполнена разделительная канавка, изолирующая электронно-дырочный переход и заходящая внешней частью в сквозной дырочный слой, а внутренней в слой исходного материала. Возможно выполнение анодной и катод...