Тетерьвова Н.А.

 1. ФОТОСИМИСТОР на основе многослойной структуры, например, n-p-n-p-n типа, содержащий зашунтированные внешние n-эмиттерные слои, контакты основного токосъема, дополнительные n-эмиттерные области, частично металлизированные, участок базы, управляемый световым потоком, по крайней мере, с одной стороны структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости прибора к высоким скоростям...

 Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов, более конкретно к симметричным тиристорам. Цель изобретения - обеспечение управления напряжением переключения в любом направлении током одного порядка, а также повышение динамических параметров и рабочей температуры. Сущность изобретения состоит в ограничении участка нижнего n-эмиттерного слоя, расположенного под...

 Сущность изобретения: мост содержит анодную и катодную группы диодных элементов. Диодные элементы по периферии окружены сквозным дырочным слоем. По периферии элемента на верхней плоскости выполнена разделительная канавка, изолирующая электронно-дырочный переход и заходящая внешней частью в сквозной дырочный слой, а внутренней в слой исходного материала. Возможно выполнение анодной и катод...