Лингарт Ю.К.

 1. Способ выращивания монокристаллов тугоплавких материалов, включающий расплавление исходного материала в вакууме и направленную кристаллизацию расплава в контейнере с затравкой при наличии температурного градиента на фронте кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности свойств монокристаллов и повышения производительности, направленную кристаллизацию ведут в непо...

 Использование: измерение высоких температур в условиях вакуума. Сущность изобретения: в трубчатом корпусе из диэлектрического материала коаксиально размещены анод и катод в виде втулок. Катод закреплен на внутренней поверхности корпуса, а анод - на внутренней поверхности диэлектрической трубки, установленной с возможностью перемещения в зазоре между рабочими поверхностями катода и анода....