Миров С.Б.

 Использование: изобретение относится к исследованию активных лазерных сред на основе кристаллов с центрами окраски. Сущность изобретения: сначала измеряют концентрацию исходных центров окраски, затем воздействуют световым излучением на образец до выхода в насыщение процессов фотоионизации, после чего измеряют изменение концентрации исходных центров окраски и концентрацию наведенных центро...

 Использование: в квантовой электронике для повышения мощности одномодового импульсно-периодического излучения ИАГ Nd-лазера с непрерывной накачкой и ресурса работы пассивного затвора на кристалле LiF F-2. Сущность изобретения: длину кристалла LiF F-2 выбирают равной l=P/, где P средняя мощность излучения лазера: пропускание выходного зеркала, определяемое из соотношения t=1 - To при To м...