Полозков Н.М.

 Оптический элемент памяти, содержащий сегнетоэлектрическую подложку, на одной стороне которой размещен металлический электрод, на другой размещены два металлических электрода и расположенный между ними слой фотополупроводника, образующие пленочный фоторезистор, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, сегнетоэлектрическая подложка выполнена из монокристаллического ниобата...

 Использование: в нелинейной оптике, в области динамической голографии. Сущность изобретения: предметный пучок пропускают через фазовую пластину, которую устанавливают с возможностью перемещения перед нелинейной средой, а время экспуатации выбирают большим, чем время изменения реализации спекл-структуры, вызванное перемещением фазовой пластинки. 3 ил. Изобретение относится к оптике, в част...