Евсеев И.И.

  Изобретение относится к микроэлектронике. Способ включает формирование на кремниевой подложке областей истока, стока и подзатворного диэлектрика, формирование металлической разводки, подгонку порогового напряжения Uп путем облучения дозой рентгеновского излучения, пропорциональной величине Uп . Для повышения производительности способа путем сокращения времени на выполнение операции подго...

 Использование: в радиоэлектронных устройствах. Сущность изобретения: прибор содержит два полупроводниковых слоя с различным типом проводимости, каждый из которых снабжен внешним омическим контактом. Слои выполнены различной толщины и в тонком слое сформированы две области противоположного типа проводимости с различающимися в них концентрациями носителей, которые снабжены омическими контак...