Цыбулько И.А.

 Способ изготовления элементов интегральных схем, включающий формирование на подложке функционального слоя, формирование на нем фоторезистивной маски, сухое травление функционального слоя через маску, удаление фоторезистивной маски, осаждение слоя планаризующего материала и его анизотропное травление до полного вскрытия планарной поверхности функционального слоя, отличающийся тем, что, с ц...

 Использование: микроэлектроника, производство СБИС. Сущность изобретения: обработку пластин проводят в двух реакционных камерах, а прибор спектрального контроля подключают к первой или второй камере в зависимости от значения выражения (tст + tз) (100 - R)V/100h + 2R/100 + R, где V - скорость травления проводящего слоя, нм/с; h - толщина проводящего слоя, нм;tст - время стабилизации разряд...

 Использование: изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для плазмохимической обработки разводки алюминия и его сплавов при изготовлении интегральных микросхем. Сущность: в плазмообразующую смесь для плазмохимической обработки разводки алюминия и его сплавов при изготовлении СБИС, включающую гексафторид серы и азот, дополнительно вводят кислород и при след...

 Использование: микроэлектроника, для формирования микрорисунка в диэлектрических слоях. Цель: повышение качества травления за счет уменьшения вероятности загрязнения поверхности нижележащего слоя. Сущность изобретения: газовая смесь для селективного сухого травления диэлектрических слоев содержит, об. %: гептафторпропан 15-50; кислород 2,6-11,0; гелий - остальное. 1 табл. Изобретение отно...

  Использование: в электронной технике, в частности в процессах изготовления полупроводниковых схем памяти на МДП-транзистоврах. Сущность изобретения: накопительный конденсатор элемента памяти интегральных схем включает первую обкладку из слоя проводящего материала, сформированного на поверхности созданного в полупроводниковой пластине углубления, на поверхности которого созданы выступы, к...