Огурцова Е.М.

  Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в производстве полевых транзисторов с барьером Шотки при измерении толщин субмикронных слоев арсенида галлия n-типа на полуизолирующей подложке. Сущность изобретения: измерение профиля распределения падения напряжения в области пространственного заряда (ОПЗ) электролитического барьера, сформированного на повер...