Шамова Г.И.

  Использование: в микроэлектронике при производстве полевых транзисторов на арсениде галлия с увеличенным быстродействием за счет уменьшения длины затвора. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводникового прибора включает выделение активной области прибора на полупроводниковой структуре, формирование омических контактов, нанесение диэлектрического слоя на поверхность структуры...