PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Файнер М.Ш.

Изобретатель Файнер М.Ш. является автором следующих патентов:

Способ получения полупроводникового пьезопреобразователя

Способ получения полупроводникового пьезопреобразователя

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ CCCP) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2526880/25 (22) 26.09.77 (46) 15.1293 Ьол Na 45-46 (72} Тиман БЛ„Загоруйко Ю.А„Файнер МШ (в) Я (и) б7б121 А1 (51)5 негь4г гг ногьгщз 2 (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПЬЕЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ . (57) б76121 может быть ис...

676121

Способ неразрушающего контроля процесса диффузионного отжига полупроводников

Способ неразрушающего контроля процесса диффузионного отжига полупроводников

  Изобретение можно испопьзовать в сверхпро- . водящих устройствах для подвеса подвижных элементов. (Делью изобетения является ловышенне ради|альной жесткости подвеса Между двумя согласно включенными сверхпроводящими катушками размещен кольцевой сверхпроводниковый подвижный элемент. После запитки хатушек током с помощью нагревателя разрушают гаерхпроводимоаь в арретированном подвижн...

728593

Способ получения пьезополупроводникового материала на основе соединений а @ в @

Способ получения пьезополупроводникового материала на основе соединений а @ в @

  союз совктских социАлистн кски г, Ркспувлие гос дмствкннок плткитнок вкдомство ссср (191 S3J (ц 769836 А1 (51) $ ÄßВЗЗ 94 ЗОВ Х9 46 ф1) 2648232/26 (22) 1897.78 (48) 35.1293 Бал. Na 4546 (72) Загоруйко ЮА; Тиман БЛ„Файнер М.Ш, (54) О)ОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЬЯОПОЛУПРОВОДНИКОВСГО MATEPklAJlA HA ОСНОВЕ ll Vl СОЕДИНЕНИЙ А В (57) 76./836 (! з; б,),- „-; э }» и с )т},. с! IT }; х с : с...

769836

Способ получения кристаллов халькогенидов типа aiibvi использование: в приборостроении, квантовой электронике, лазерной спектроскопии и т

Способ получения кристаллов халькогенидов типа aiibvi использование: в приборостроении, квантовой электронике, лазерной спектроскопии и т

 д. Сущность изобретения: исходный халькогенид перед выращиванием обрабатывают в атмосфере дезоксидирующего газа при температуре на 10 - 20°С выше температуры кипения металла данного хальгенида. В качестве дезоксидирующего газа используют газ, получаемый в результате взаимодействия воздуха, технического азота и/или углекислого газа с углеродом (графитовой крошкой) при 850 - 950°С. Применен...

2031983