Артемова Н.Д.

 Использование: изготовление фотошаблонов сверхбольших интегральных схем (СБИС) и самих СБИС методом прямой электронолитографии по полупроводниковой пластине. Сущность изобретения: при формировании микроизображений программно-управляемо последовательно облучают электронорезист электронным лучом в виде прямоугольных штампов, размер которых определен максимальной плотностью сечения луча в пл...

  Назначение: технология микроэлектроники. Сущность изобретения: экспонирование слоя электронорезиста (ЭР) на подложке осуществляют электронным лучом произвольного сечения серией электронных штампов (Ш) за несколько циклов. Набор оптимальной фазы облучения осуществляется малыми порциями при высокой плотности тока луча и обеспечении достаточного для остывания ЭР, используется для облучения...