Шустров А.В.

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники, в технологии изготовления интегральных газовых датчиков с тонкими мембранами (1-5 мкм), а также мембран для рентгеновских фотошаблонов. Сущность изобретения: перед травлением щелочной травитель вспенивают и полученной пеной обрабатывают обратную...

 Использование: в микроэлектронике, в частности в технологии изготовления интегральных газовых сенсоров с тонкими диэлектрическими мембранами (1-5 мкм). Сущность изобретения состоит в том, что полупроводниковый газовый сенсор представляет собой устройство, включающее диэлектрическую мембрану, области нагревателя, чувствительного слоя, электродов, контактных площадок и специальную плату с р...

 Изобретение относится к регистрации ионизирующих излучений алмазными детекторами. Сущность: способ изготовления алмазных детекторов основан на использовании природных алмазов с содержанием азота не более 1018 атм/см3, в соответствии с которым отбирают кристаллы с временем жизни носителей заряда порядка 10-9с, распиливают их на пластины толщиной 0,2 - 0,3 мм, осуществляют травление пластин...