Лашманов В.В.

 Использование: технология микроэлектроники для оценки качества слоев диоксида кремния, выращенных на кремниевых подложках. Технический результат способа - повышение чувствительности и экспрессности эллипсометрического контроля пористости пленок диоксида кремния. Сущность изобретения: регистрируют изменения показателя преломления пленки, измеряемого эллипсометрическим методом при нормальны...