Петухов В.Ю.

  Использование: технология изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность: полированные пластины кремния закрепляют на неохлаждаемой дюралевой кассете. Ионную имплантацию проводят в вакуумной камере ионами кобальта с энергией 90 кэВ дозой 21017 см-2 и плотностью ионного тока более 40 мкА/см2 При этом получают слой с постоянной решетки 0,5365 нм толщиной около 60 нм....

 Использование: изобретение относится к технологии получения тонких ( 0,1 мкм) магнитных пленок с применением метода имплантации ионов магнитных элементов в материал подложки и может быть использовано в микроэлектронике и информатике, в частности для изготовления магнитных и магнитооптических запоминающих сред. Технический результат изобретения заключается, во-первых, в улучшении магнитных...