Пак Г.Т.

 Использование: в системах записи и воспроизведения информации, измерительной, медицинской технике, системах связи. Сущность: на поверхности эпитаксиальной структуры многолучевого полупроводникового инжекционного излучателя выполнены по крайней мере три полосковых омических контакта и разделительные области в виде канавок с соответствующими шириной и удалением краев канавок от центров данн...

 Использование: электронная техника, а именно, конструкция инжекционного полупроводникового лазера с повышенной плотностью мощности ( 106 Вт/см2) и с ограниченной по размерам излучающей площадкой. Сущность изобретения: по крайней мере на одной из граней резонатора инжекционного лазера выполнено покрытие, состоящее из переходного слоя определенной толщины, примыкающего к основному материалу...

 Изобретение относится к технологии п/п приборов. Сущность изобретения - на лазерной гетероструктуре n-n-n-p-p готовят линейные зоны в маске из оксида кремния. Между подложкой из арсенида галлия и гетероструктурой формируют жидкую линейную зону на основе свинца или висмута и ведут зонную перекристаллизацию. Через 1,5 - 2 ч направление градиента температуры меняют. В области линейных зон пр...