Сапунова Г.В.

 Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых эпитаксиальных структур фосфида индия со "стоп-слоями" осаждением из газовой фазы для изготовления диодов Ганна, полевых транзисторов, смесительных диодов. Способ позволяет упростить технологию выращивания структур со "стоп-слоями". Перед наращиванием рабочей структуры дополнительно вводят в парогазовую смесь поток треххлорист...