Цыпкин Г.А.

  Использование: в микроэлектронике для производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: проводят обработку структур кремний-пленка диоксида кремния с помощью гидростатистического давления 600 - 800 МПа в течение (7-9)103c. Давление поднимают периодически со скоростью 5 - 10 МПа/с, а сбрасывают его до атмосферного с убывающей скоростью, определяемой уравнением v = vo-(n-1)v,...