Гамеза Л.М.

  Изобретение может быть использовано в инструментальной и полупроводниковой промышленности. Цель изобретения состоит в повышении прочности монокристаллов и увеличении выхода фракции 315/250. Шихта содержит графитоподобный нитрид бора и гидрид лития, а в качестве наполнителя - азид натрия в количестве 8,0-25,0 мас.% либо смеси азида натрия с добавками селена, серы или теллура в количестве...