Хлопотин С.Е.

 Использование: электронная техника, а именно, конструкция инжекционного полупроводникового лазера с повышенной плотностью мощности ( 106 Вт/см2) и с ограниченной по размерам излучающей площадкой. Сущность изобретения: по крайней мере на одной из граней резонатора инжекционного лазера выполнено покрытие, состоящее из переходного слоя определенной толщины, примыкающего к основному материалу...

  Использование: в полупроводниковой квантовой электронике, в лазерных и суперлюминесцентных источниках излучения для систем связи, считывания и записи информации, контрольно-измерительной аппаратуре, медицинской техники. Сущность изобретения: в инжекционном лазаре на основе гетероструктуры полупроводниковых соединений AIIIBIV и их твердых растворов с эмиттерными слоями и помещенной между...