Сероусов И.Ю.

  Изобретение относится к микроэлектронике. в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИМС. Цель - снижение трудоемкости за счет сокращения количества технологических операций и повышение выхода годных за счет увеличения прочности структур. Для этого в технологическом процессе изготовления структур ИМС в кремниевой подложке формируют изолирующие канавки, создают диф...

 Использование: в микроэлектронике, технологии структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией. Сущность изобретения: по способу получения структур с диэлектрической изоляциеи проводят механическую обработку кремниевых подложек, формируют на поверхности монокристаллической подложки рельеф с углублениями, скрытый слой, слой диоксида кремния и слой поликристаллического кремния тол...