Евсеев Игорь Иванович

  Использование: в технологии изготовления полупроводниковых детекторов низкоэнергетических частиц и частиц с малой ионизирующей способностью. Сущность изобретения: способ заключается в создании на поверхности кремниевой пластины p-типа слоя SiO2 с формированием на границе раздела встроенного положительного заряда с индуцированным в приповерхностной зоне p-кремния инверсным n-слоем и выпол...