Студеникин С.А.

 Изобретение относится к неразрушающему контролю параметров полупроводников и может быть использовано для определения однородности и качества материалов. Цель - повышение точности и локальности неразрушающего контроля. Образец охлаждают до гелиевых температур. Воздействуют на него изменяющимся постоянным магнитным полем B и одновременно переменным магнитным полем с амплитудой h << B....

  Изобретение относится к способам неразрушающего контроля параметров полупроводников и полупроводниковых структур, содержащих вырожденный электронный газ пониженной размерности, и может быть использовано для определения концетрации носителя заряда. Сущность изобретения: полупроводниковой образец охлаждают до гелиевых температур, воздействуют на него постоянным магнитным полем с индукцией...