Булдыгин А.Ф.

 Изобретение относится к функциональной микроэлектронике, микрофотоэлектронике, вычислительной технике. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей полупроводникового прибора за счет обеспечения управляемого переключения прибора из низкоомного в одно из более высокоомных состояний при пропускании через прибор тока выше порогового значения, обеспечения возможности запи...

  Изобретение относится к способам неразрушающего контроля параметров полупроводников и полупроводниковых структур, содержащих вырожденный электронный газ пониженной размерности, и может быть использовано для определения концетрации носителя заряда. Сущность изобретения: полупроводниковой образец охлаждают до гелиевых температур, воздействуют на него постоянным магнитным полем с индукцией...