Думбров В.И.

  Сущность изобретения: лента для выводной рамки полупроводниковых приборов содержит основу, выполненную из железа, никеля или сплавов на их основе, и медьсодержащий поверхностный слой, в который методом термодиффузии введен цинк в количестве 1 - 4% и/или на который плакированием нанесена полоса алюминия толщиной 1 - 9 мкм. 2 з.п. ф-лы. Изобретение относится к электронной промышленности и...

  Сущность изобретения: на поверхности рамки формируется защитное покрытие путем термической диффузии цинка при температуре 60 350°С в течение 15 30 мин. Формирование защитного покрытия осуществляют после формирования топологии выводных рамок. Покрытие коррозионностойко и обеспечивает качественную сварку внутренних выводов с кристаллом как алюминиевой, так и золотой проволокой, хорошо облу...