Петров В.Т.

 Изобретение относится к микроэлектронике, к биполярным транзисторам. Цель изобретения - повышение качества изделий за счет повышения пробивного напряжения и уменьшения обратного тока p-n-перехода между активными областями и подложкой. Периферийные области, образующие p-n-переходы с подложкой и между собой, расположены на расстоянии от активных областей, превышающем максимальную ширину объ...

  Использование: системы управления и защиты ядерных реакторов в системах контроля положения регулирующих органов. Сущность изобретения: сравнение мгновенных значений напряжений, снимаемых с катушек линейного датчика в момент равенства нулю активной составляющей этих напряжений, и запись результатов сравнения в цифровые запоминающие устройства. Для повышения быстродействия и надежности кон...