Савостьянова Н.В.
Изобретатель Савостьянова Н.В. является автором следующих патентов:

Способ утонения полупроводниковых структур
Сущность изобретения: утонения ведут по циклу: механическая обработка и полирующее травление. После каждой операции измеряют неплоскостность. Цикл повторяют. Последнюю механическую обработку проводят на глубине не более 50 мкм. Последнее полирующее травление проводят на глубину, обуславливающую повышение неплоскостности в 2,0-5,0 раз по отношению к предыдущей механической обработке. Изоб...
1766212
Акустооптический дефлектор
Использование: в акустооптике, в частности в приемнике-частотомере. Сущность изобретения: акустооптический дефлектор (АОД) содержит звукопровод и расположенный на его торце пьезопреобразователь, включающий первый полосковый электрод, ориентированный вдоль оси кристалла звукопровода (Y + 36°), пьезоэлектрическую пленку и два внешних электрода меандровой формы, параллельных друг другу. Рабо...
2038627