Шабанов В.Н.

 Использование: в микроэлектронике. Сущность изобретения: способ молекулярной эпитаксии включает изготовление из пластины монокристаллического легирования кремния источника заданной формы. Затем ведут нагревание источника путем пропускания через него электрического тока до температуры сублимации материала с рабочей стороны источника и эпитаксиальное наращивание на подложке легированного сл...