Михайлов Валерий Владимирович[BY]

  Использование: микроэлектроника, способ формирования КМОП-структур с поликремниевым затвором. Сущность изобретения: в способе формирования КМОП-структур с поликремниевым затвором на полупроводниковой пластине первого типа проводимости формируют области второго типа проводимости, формируют окисный слой, затем проводят его селективное травление в областях каналов p- и n-канальных транзисто...