Файншмидт Л.И.

 Использование: в полупроводниковой микроэлектронике. Сущность изобретения: интегральная схема диодного тиристора содержит силовой p-n-p-транзистор, силовой n-p-n-транзистор, полевой транзистор, резистор и две входные клеммы, причем база силового p-n-p-транзистора соединена с коллектором силового p-n-p-транзистора, эмиттерный переход силового p-n-p- транзистора зашунтирован полевым транзис...

 Использование: изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в интегральной схемотехнике для создания структур запираемых тиристоров с малыми токами запирания и высоким быстродействием в широком диапазоне напряжений и температур. Сущность изобретения: интегральная схема запираемого тиристора включает два двухколлекторных транзистора 3 и 7, силовой транзистор 4, исполн...