Пухляков Ю.А.

 Использование: технология изготовления полупроводниковых приборов на фосфиде галлия. Цель: повышение качества травления за счет повышения полирующих свойств травителя и сохранения топологии при глубоком (40 50 мкм) травления. Сущность изобретения: формирование углублений в пластинах фосфида галлия 100 проводят в травителе, содержащем иодат одновалентного металла 5 15 мас. соляную кислоту...

 Использование: в технологии изготовления керамических изделий из высокотемпературных сверхпроводящих материалов. Сущность изобретения: порошок ВТСП смешивают с формовочной присадкой, содержащей 2 4%-ный раствор этилцеллюлозы в органическом растворителе так, что содержание этилцеллюлозы в сухой шихте составляет 0,5 2,5% от массы порошка, проводят сушку шихты, прессование и термообработку....