Шавер И.Х.

 Сущность изобретения: термолюминесцентный материал на основе термолюминофора с шириной запрещенной зоны от 7 до 11,5 эВ содержит дополнительно полупроводниковый элемент или полупроводниковое соединение с шириной запрещенной зоны от 0,18 до 2,7 эВ в количестве 1 30 мас. Относительная чувствительность к тяжелым заряженным частицам / материала составляет 1,46 13,6. 1 з.п. ф-лы. Изобретение о...