Лукашев А.С.

  Изобретение может быть использовано при изготовлении подзатворных, межслоистых и пассивирующих покрытий для многоуровниевых сверхбольших интегральных схем. Сущность изобретения: тонкую пленку диоксида кремния получают окислением дихлорсилана, причем реакцию проводят в квазистатических условиях при однократном воспламенении, а пламя инициируют удаленным из подложки импульсным локальным ис...

  Изобретение может быть использовано при изготовлении межслоистых и пассивирующих покрытий для многоуровниевых сверхбольших интегральных схем. Сущность изобретения: тонкие пленки диоксида кремния получают окислением дихлорсилана в тлеющем разряде постоянного тока. Способ позволяет получать пленки при комнатной температуре. Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к по...