Штурмин А.А.

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве гибридных интегральных схем. Целью изобретения является повышение качества схем за счет увелечения адгезии слоев коммутации к диэлектрической подложке с одновременным сокращением техпроцесса, что достигается путем защиты поверхности подложки технологическим слоем металла в процессе формирования межслойной из...

  Использование: изготовление гибридных интегральных схем (ГИС) методом тонкопленочной технологии. Сущность способа изготовления тонкопленочной ГИС состоит в том, что рисунок двухуровневой коммутации формируют одновременно на трех слойной проводниковой структуре ванадий медь гальваническая медь - ванадий медь после предварительного создания части нижнего проводника, находящегося под будуще...